Elektronické součástky Zdroje energie
Diody, můstky, transily
40V
celkem položek : 4
Jakmile bude položka naskladněna, přijde Vám zpráva.
katalog : 1104-1461
Tranzistor P-MOS 30V 4,6A 2,5W. Bez obsahu olova. SO8
Od 50-ti ks lze dále objednat pouze násobky 50-ti ks.
Od 50-ti ks lze dále objednat pouze násobky 50-ti ks.
| cena vč. DPH : | 19,- |
| na prodejně : | 19,- |
| sleva : | 0,00 % |
| dodání:3-5 dnů | |
katalog : 1111-285
Tranzistor 2xP-Ch 30V 4,9A 2,0W 0,058R SO8
Od 50-ti ks lze dále objednat pouze násobky 50-ti ks.
Od 50-ti ks lze dále objednat pouze násobky 50-ti ks.
| cena vč. DPH : | 43,- |
| na prodejně : | 45,- |
| sleva : | 4,44 % |
| skladem | |
| cena vč. DPH : | 19,- |
| na prodejně : | 20,- |
| sleva : | 5,00 % |
| skladem | |
katalog : 1111-2831
Tranzistor P+P-Ch 30V 5,9A 5,0W SO8
Typ tranzistoru" P-MOSFET x2
Technologie: TrenchFET
Napětí drain-source: -30V
Proud drainu: -5,9A
Ztrátový výkon: 5W
Pouzdro: SO8
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 41mOhm
Montáž: SMD
Náboj hradla: 50nC
Druh balení: páska, role
Druh kanálu: obohacený
Typ tranzistoru" P-MOSFET x2
Technologie: TrenchFET
Napětí drain-source: -30V
Proud drainu: -5,9A
Ztrátový výkon: 5W
Pouzdro: SO8
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 41mOhm
Montáž: SMD
Náboj hradla: 50nC
Druh balení: páska, role
Druh kanálu: obohacený
| cena vč. DPH : | 56,- |
| na prodejně : | 59,- |
| sleva : | 5,08 % |
| dodání:3-5 dnů | |